Лабораторная работа № 405. ОПРЕДЕЛЕНИЕ
КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В ПОЛУПРОВОДНИКЕ С ПОМОЩЬЮ ЭФФЕКТА ХОЛЛА Цель работы: 1) определение постоянной Холла; 2) определение концентрации носителей заряда. Приборы и принадлежности: установка для изучения эффекта Холла, образец (датчик Холла), источник питания образца, цифровые вольтметры. 1.
ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ВВЕДЕНИЕ Более века тому назад (1879г.) американский физик Холл, поместив тонкую золотую пластинку в магнитное поле, обнаружил, что при протекании по ней электрического тока в направлении, поперечном вектору магнитной индукции и вектору плотности тока, появляется электрическое поле. Этот эффект впоследствии был назван эффектом Холла, а поперечное электрическое поле – полем Холла. Эффект Холла непосредственно связан с подвижностью и концентрацией носителей заряда, а знак ЭДС Холла зависит от знака заряда. Поэтому эффект Холла широко применяется при исследовании электрических свойств различных материалов и для контроля качества полупроводниковых материалов, идущих на изготовление приборов. Изучение температурной зависимости эффекта Холла дает важную информацию о механизмах рассеяния[1] носителей заряда, о ширине запрещенной зоны материала и энергии ионизации различных примесей. Весьма широкое применение эффект Холла находит в современной технике, являясь основой для создания приборов различного назначения: магнитометров, преобразователей постоянного тока в переменный и переменного в постоянный, усилителей постоянного и переменного тока, микрофонов, приборов автоматики и контроля, элементов вычислительной техники и многого другого. Эффект Холла является прямой демонстрацией действия силы Лоренца на движущиеся электрические заряды. Рассмотрим
проводник (или полупроводник) в виде параллелепипеда шириной а и толщиной d, через
который протекает электрический ток плотностью Поместим
проводник в магнитное поле, вектор индукции электроны отклоняются к
передней (по рисунку) грани образца, заряжая ее отрицательно. На
противоположной грани образца накапливаются нескомпенсированные положительные
заряды. Это приводит к появлению электрического поля
Смещение и разделение зарядов
будет продолжаться до тех пор, пока сила Лоренца не уравновесится силой Сила, действующая на электрон в условиях динамического равновесия, равна или Отсюда поле Холла Результирующее электрическое поле повернется при этом на угол Холла a, определяемый выражением относительно вектора Так как и то можно записать, что и ЭДС Холла где учтено, что Величина
Таким образом, определяя постоянную Холла и ее знак, можно определить концентрацию и знак носителей тока в полупроводнике. Рассмотренная
модель эффекта Холла применима для проводников (металлов) и вырожденных
полупроводников[3],
т.е. к проводникам, в которых имеются носители одного знака, обладающие
одинаковой скоростью где А – постоянная, зависящая от механизма рассеяния носителей. В
полупроводниках со смешанной проводимостью перенос тока осуществляется
одновременно электронами и дырками. Так как они обладают противоположными по
знаку зарядами и под действием внешнего поля перемещаются в противоположные
стороны, то сила Лоренца где n и р – концентрации электронов и дырок, mn и mр – их подвижности. В зависимости от того, какое из слагаемых числителя больше, знак Холла может быть положительным или отрицательным. Для собственных полупроводников, у которых концентрации электронов и дырок одинаковы, знак постоянной Холла определяется знаком носителей, имеющих более высокую подвижность. Обычно такими носителями являются электроны. Поэтому в примесном дырочном полупроводнике (полупроводнике р-типа) при повышении температуры и переходе к собственной проводимости постоянная Холла проходит через нуль и меняет знак. При
измерении постоянной Холла и напряжения Холла следует иметь ввиду, что между
холловскими электродами А и D имеется некоторая разность потенциалов Uо и в отсутствии магнитного поля
При
изменении направления магнитного поля на обратное знак ЭДС Холла Uх изменится, в то время как знак Uо остается прежним. При этом в зависимости от
соотношения величин Uх и Uо возможны два подхода к определению Uх .
Чаще встречается случай, когда
Вычитая из первого уравнения второе, получим Если Uх < Uо , тогда при различных направлениях
Вычитая из первого уравнения второе, получим 2. ОПИСАНИЕ РАБОЧЕЙ УСТАНОВКИ Установка состоит из трех основных частей: 1) – электромагнит со схемой питания; 2) – схема питания датчика Холла; 3) – измерительная часть для определения знака и величины ЭДС Холла.
3. ПОРЯДОК
ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ И ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ ИЗМЕРЕНИЙ 1. Включить источник питания электромагнита 4. 2. Включить источник тока 3 через образец. Ток, протекающий через образец I = 35 мА. 3. Провести измерения холловской разности потенциалов, меняя величину тока Iэ, текущего через электромагнит с шагом примерно 0,02 А в интервале от 0,02 до 0,12 А. Величина тока электромагнита регулируется лабораторным автотрансформатором, включенным в цепь питания электромагнита и измеряется цифровым вольтметром РА1, работающим в режиме измерения силы тока. Измерения
холловской разности потенциалов при каждом установленном значении тока I, выполнять при двух направлениях тока (одному направлению
соответствует значение напряжения Таблица
результатов
4.
По формуле (1) или (2) рассчитать ЭДС Холла Uх для каждого значения тока электромагнита Iэ. Если при смене направления тока Iэ знак 5. По графику зависимости индукции магнитного поля от тока в обмотке электромагнита, имеющегося на рабочем столе, или по формуле где а и b – коэффициенты, определить величину индукции магнитного поля В. 6. Определить значение постоянной Холла по формуле где d = 5,0×10-5 м, I = 35,0×10-3 A. 7. Определить среднее значение постоянной Холла. 8. Рассчитать концентрацию носителей тока на основании соотношения
9. Определить погрешность постоянной Холла методом Стьюдента: где N – число измерений. 4. ВОПРОСЫ ДЛЯ ДОПУСКА К РАБОТЕ 1. Назвать основные части установки и объяснить их назначение. 2. Объяснить, с какой целью в процессе измерений изменяется направление тока, текущего через электромагнит. 3. Пояснить, как в работе определяется величина индукции магнитного поля? 4. Привести порядок выполнения работы. 5. ВОПРОСЫ ДЛЯ ЗАЩИТЫ РАБОТЫ 1. Дать определение эффекта Холла. 2. Пояснить механизм возникновения ЭДС Холла в металлах. 3. Вывести формулу для определения поля Холла и ЭДС Холла в металлах. 4. Указать, от каких причин зависит постоянная Холла в металлах. 5. Объяснить, чем отличаются механизмы возникновения ЭДС Холла в металлах и полупроводниках? 6. От каких величин зависит постоянная Холла в полупроводниках? Рекомендуемая литература 1. Трофимова Т.И. Курс физики. - М.: Высш. шк, 2002. - 542 с. 2. Савельев И.В. Курс общей физики. Кн.5. Квантовая оптика. Атомная физика. Физика твердого тела. Физика атомного ядра и элементарных частиц. - М.: АСТ, 2001. - 368с. 3. Детлаф А.А., Яворский Б.М. Курс физики. - М.: Высш. шк., 2002. - 718 с. |
[1] Кристаллическая решетка твердого тела никогда не бывает идеальной. Нарушения кристаллической решетки ведут к локальному возмущению кристаллического поля, которое охватывает расстояние порядка нескольких межатомных расстояний. Возмущения кристаллического поля вызываются тепловыми колебаниями атомов кристаллической решетки (рассматриваемыми как фононный газ), атомами и ионами примеси, вакансиями, междоузельными атомами и рядом других дефектов решетки. Во время перемещения носителя под действием электрического поля по кристаллической решетке, он может взаимодействовать с локальными возмущениями кристаллического поля. Процесс взаимодействия с возмущениями подобен удару, поэтому он получил название соударения или столкновения. При соударении меняется число носителей, движущихся в данном направлении, поэтому процессы столкновения называют также рассеянием носителей.
[2] Воображаемая поверхность, все точки которой имеют одинаковый потенциал, называется эквипотенциальной поверхностью.
[3] Вырожденным полупроводником называется полупроводник с одним типом носителей заряда, в котором электронный или дырочный газ вырожден, то есть описывается статистикой Ферми-Дирака. Обычно это состояние полупроводника имеет место при высокой концентрации примеси.