Лабораторная работа № 405. ОПРЕДЕЛЕНИЕ
КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В ПОЛУПРОВОДНИКЕ С ПОМОЩЬЮ ЭФФЕКТА ХОЛЛА Цель работы: 1) определение постоянной Холла; 2) определение концентрации носителей заряда. Приборы и принадлежности: установка для изучения эффекта Холла, образец (датчик Холла), источник питания образца, цифровые вольтметры. 1.
ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ВВЕДЕНИЕ Более века тому назад (1879г.) американский физик Холл, поместив тонкую золотую пластинку в магнитное поле, обнаружил, что при протекании по ней электрического тока в направлении, поперечном вектору магнитной индукции и вектору плотности тока, появляется электрическое поле. Этот эффект впоследствии был назван эффектом Холла, а поперечное электрическое поле – полем Холла. Эффект Холла непосредственно связан с подвижностью и концентрацией носителей заряда, а знак ЭДС Холла зависит от знака заряда. Поэтому эффект Холла широко применяется при исследовании электрических свойств различных материалов и для контроля качества полупроводниковых материалов, идущих на изготовление приборов. Изучение температурной зависимости эффекта Холла дает важную информацию о механизмах рассеяния[1] носителей заряда, о ширине запрещенной зоны материала и энергии ионизации различных примесей. Весьма широкое применение эффект Холла находит в современной технике, являясь основой для создания приборов различного назначения: магнитометров, преобразователей постоянного тока в переменный и переменного в постоянный, усилителей постоянного и переменного тока, микрофонов, приборов автоматики и контроля, элементов вычислительной техники и многого другого. Эффект Холла является прямой демонстрацией действия силы Лоренца на движущиеся электрические заряды. Рассмотрим проводник (или полупроводник) в виде параллелепипеда шириной а и толщиной d, через который протекает электрический ток плотностью, как показано на рис.1. Предположим также, что в проводнике имеются носители заряда одного знака: либо электроны, либо дырки. Проведем рассмотрение электронного проводника. Выберем на гранях, параллельных току, точки А и D, лежащие на одной эквипотенциальной поверхности[2] . Напряжение между этими точками Ux= 0. Поместим проводник в магнитное поле, вектор индукции которого перпендикулярен направлению тока и боковым граням. Под действием силы Лоренца
электроны отклоняются к передней (по рисунку) грани образца, заряжая ее отрицательно. На противоположной грани образца накапливаются нескомпенсированные положительные заряды. Это приводит к появлению электрического поля
Смещение и разделение зарядов будет продолжаться до тех пор, пока сила Лоренца не уравновесится силой действующей на электроны со стороны поля Холла
Сила, действующая на электрон в условиях динамического равновесия, равна
или
Отсюда поле Холла
Результирующее электрическое поле
повернется при этом на угол Холла a, определяемый выражением
относительно вектора Соответственно эквипотенциальные поверхности и тоже изменят свое положение, и точки А и D в результате окажутся на разных эквипотенциальных поверхностях и между ними появится напряжение (ЭДС Холла):
Так как
и то есть то можно записать, что
и ЭДС Холла
где учтено, что Величина называется постоянной Холла. Знак постоянной Холла зависит от знака заряда и определяет направление поля Холла (рис.2). У электронных полупроводников (полупроводников n-типа) R имеет отрицательный знак, у дырочных (полупроводников р-типа) – положительный.
Таким образом, определяя постоянную Холла и ее знак, можно определить концентрацию и знак носителей тока в полупроводнике. Рассмотренная модель эффекта Холла применима для проводников (металлов) и вырожденных полупроводников[3], т.е. к проводникам, в которых имеются носители одного знака, обладающие одинаковой скоростью В невырожденных полупроводниках скорость носителей подчиняется распределению Максвелла. Учет этого обстоятельства приводит к формуле
где А – постоянная, зависящая от механизма рассеяния носителей. В полупроводниках со смешанной проводимостью перенос тока осуществляется одновременно электронами и дырками. Так как они обладают противоположными по знаку зарядами и под действием внешнего поля перемещаются в противоположные стороны, то сила Лоренца отклоняет их в одну и ту же сторону. Поэтому при прочих равных условиях ЭДС Холла и постоянная Холла у таких проводников меньше, чем у проводников с одним типом носителей. Расчет показывает, что для таких проводников
где n и р – концентрации электронов и дырок, mn и mр – их подвижности. В зависимости от того, какое из слагаемых числителя больше, знак Холла может быть положительным или отрицательным. Для собственных полупроводников, у которых концентрации электронов и дырок одинаковы, знак постоянной Холла определяется знаком носителей, имеющих более высокую подвижность. Обычно такими носителями являются электроны. Поэтому в примесном дырочном полупроводнике (полупроводнике р-типа) при повышении температуры и переходе к собственной проводимости постоянная Холла проходит через нуль и меняет знак. При измерении постоянной Холла и напряжения Холла следует иметь ввиду, что между холловскими электродами А и D имеется некоторая разность потенциалов Uо и в отсутствии магнитного поля Эта разность потенциалов обусловлена асимметрией контактов (на практике очень трудно расположить их на одной эквипотенциальной поверхности, см. рис.3), и термоэдс, связанной с неизотермичностью образца. Для исключения влияния начальной разности потенциалов Uо на результаты измерения можно воспользоваться следующим методическим приемом.
При изменении направления магнитного поля на обратное знак ЭДС Холла Uх изменится, в то время как знак Uо остается прежним. При этом в зависимости от соотношения величин Uх и Uо возможны два подхода к определению Uх . Чаще встречается случай, когда Тогда для различных направлений (условно обозначенных ниже знаками + и - ) измеряемое напряжение U меняет свой знак, и можно записать:
Вычитая из первого уравнения второе, получим (1) Если Uх < Uо , тогда при различных направлениях знак измеряемого напряжения не изменяется и можно записать
Вычитая из первого уравнения второе, получим (2) 2. ОПИСАНИЕ РАБОЧЕЙ УСТАНОВКИ Установка состоит из трех основных частей: 1) – электромагнит со схемой питания; 2) – схема питания датчика Холла; 3) – измерительная часть для определения знака и величины ЭДС Холла.
3. ПОРЯДОК
ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ И ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ ИЗМЕРЕНИЙ 1. Включить источник питания электромагнита 4. 2. Включить источник тока 3 через образец. Ток, протекающий через образец I = 35 мА. 3. Провести измерения холловской разности потенциалов, меняя величину тока Iэ, текущего через электромагнит с шагом примерно 0,02 А в интервале от 0,02 до 0,12 А. Величина тока электромагнита регулируется лабораторным автотрансформатором, включенным в цепь питания электромагнита и измеряется цифровым вольтметром РА1, работающим в режиме измерения силы тока. Измерения холловской разности потенциалов при каждом установленном значении тока I, выполнять при двух направлениях тока (одному направлению соответствует значение напряжения , другому - ). Направление тока изменяется переключателем S1, установленным на лицевой панели прибора. Результаты измерений и занести в таблицу. Таблица
результатов
4. По формуле (1) или (2) рассчитать ЭДС Холла Uх для каждого значения тока электромагнита Iэ. Если при смене направления тока Iэ знак противоположен знаку , то следует пользоваться формулой (1), в противном случае – формулой (2). 5. По графику зависимости индукции магнитного поля от тока в обмотке электромагнита, имеющегося на рабочем столе, или по формуле
где а и b – коэффициенты, определить величину индукции магнитного поля В. 6. Определить значение постоянной Холла по формуле
где d = 5,0×10-5 м, I = 35,0×10-3 A. 7. Определить среднее значение постоянной Холла. 8. Рассчитать концентрацию носителей тока на основании соотношения где е = 1,6×10-19 Кл. 9. Определить погрешность постоянной Холла методом Стьюдента:
где N – число измерений. 4. ВОПРОСЫ ДЛЯ ДОПУСКА К РАБОТЕ 1. Назвать основные части установки и объяснить их назначение. 2. Объяснить, с какой целью в процессе измерений изменяется направление тока, текущего через электромагнит. 3. Пояснить, как в работе определяется величина индукции магнитного поля? 4. Привести порядок выполнения работы. 5. ВОПРОСЫ ДЛЯ ЗАЩИТЫ РАБОТЫ 1. Дать определение эффекта Холла. 2. Пояснить механизм возникновения ЭДС Холла в металлах. 3. Вывести формулу для определения поля Холла и ЭДС Холла в металлах. 4. Указать, от каких причин зависит постоянная Холла в металлах. 5. Объяснить, чем отличаются механизмы возникновения ЭДС Холла в металлах и полупроводниках? 6. От каких величин зависит постоянная Холла в полупроводниках? Рекомендуемая литература 1. Трофимова Т.И. Курс физики. - М.: Высш. шк, 2002. - 542 с. 2. Савельев И.В. Курс общей физики. Кн.5. Квантовая оптика. Атомная физика. Физика твердого тела. Физика атомного ядра и элементарных частиц. - М.: АСТ, 2001. - 368с. 3. Детлаф А.А., Яворский Б.М. Курс физики. - М.: Высш. шк., 2002. - 718 с. |
[1] Кристаллическая решетка твердого тела никогда не бывает идеальной. Нарушения кристаллической решетки ведут к локальному возмущению кристаллического поля, которое охватывает расстояние порядка нескольких межатомных расстояний. Возмущения кристаллического поля вызываются тепловыми колебаниями атомов кристаллической решетки (рассматриваемыми как фононный газ), атомами и ионами примеси, вакансиями, междоузельными атомами и рядом других дефектов решетки. Во время перемещения носителя под действием электрического поля по кристаллической решетке, он может взаимодействовать с локальными возмущениями кристаллического поля. Процесс взаимодействия с возмущениями подобен удару, поэтому он получил название соударения или столкновения. При соударении меняется число носителей, движущихся в данном направлении, поэтому процессы столкновения называют также рассеянием носителей.
[2] Воображаемая поверхность, все точки которой имеют одинаковый потенциал, называется эквипотенциальной поверхностью.
[3] Вырожденным полупроводником называется полупроводник с одним типом носителей заряда, в котором электронный или дырочный газ вырожден, то есть описывается статистикой Ферми-Дирака. Обычно это состояние полупроводника имеет место при высокой концентрации примеси.